士兰微电子发展目标和战略

士兰微电子发展目标和战略

公司发展目标和战略：以国际上先进的IDM大厂为学习标杆，成为具有自主品牌，具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商。走设计与制造一体的模式，在半导体功率器件、各类模拟芯片、MEMS传感器、光电产品和化合物芯片等多个技术领域持续进行生产资源、研发资源的投入；利用公司在多个芯片设计领域的积累，提供针对性的芯片产品和系统应用解决方案；不断提升产品质量和口碑，提升产品附加值。

具体描述如下：
（一）持续提升综合能力，发挥IDM模式的优势，聚焦高端客户和高门槛市场；重点瞄准当前汽车、新能源、算力和通讯等产业快速发展的契机，抓住国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片的时间窗口，利用我们有多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺技术与产品平台。产品与技术领域聚焦在以下五个方面：
1、    先进的车规和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）；
2、    车规和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物SiC和GaN的芯片设计、制造、封装）；
3、    MEMS传感器产品与工艺技术（芯片设计、芯片工艺制造和封装）；
4、车规和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数\数模转换等）混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）；
5、光电系列产品（发光二极管及其它光电器件的芯片制造及封装技术）

（二）继续全力推动制造平台的产能拓展，匹配公司短期和中期成长目标。加快集科12吋三期项目建设进度，进一步提升模拟电路和IGBT、MOSFET等功率芯片产能；加快拓展杭州士兰集昕8吋集成电路芯片生产线上MEMS工艺的产能；加快推进厦门士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线的产能释放，加快推进厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线项目建设、力争在今年四季度大线通线并试生产，赶上2026年车用SiC市场的快速成长；启动成都士兰汽车半导体封装二期厂房建设，持续推动功率器件和功率模块封装产能拓展；着手规划新建第二条12英寸集成电路芯片生产线，在特色工艺领域坚持走IDM（设计与制造一体）的模式。

（三）瞄准车规级模拟电路和算力服务器相关的电源电路，继续加大力度推进12吋模拟工艺平台的研发与量产爬坡。公司已在过去的三年里，已自主完成了主要的车规级模拟电路所需的工艺平台的研发，2025年将陆续推出车规级系列模拟电路产品，包括功率器件的隔离栅驱动、垂直沟道的高边驱动和低边驱动电路、深沟槽隔离工艺的预驱电路、车用电源管理电路（含功能安全设计）、电子液压制动驱动电路（含功能安全设计）、车用数字音频功放电路等。完成第二代先进BCD工艺的开发，推动DrMOS、高性能DC-DC产品的性能升级。

（四）在12吋先进的电路工艺平台已逐步成熟的基础上，加大芯片设计资源的投入，大幅度增加杭州本部设计所的芯片设计研发人员，同时在上海、无锡、成都、西安、北京、厦门等地的研发中心持续扩充有经验的设计研发工程师。

（五）加快8吋车规级GaN功率器件的产品研发与技术成熟，尽快推出车规级GaN功率器件产品。结合公司当前已有一定优势的硅基、碳化硅基功率器件，以及模拟控制、驱动芯片的基础，争取能在SiC和GaN这两个持续蓬勃增长的市场中找到更多的产品发展机会。

（六）MEMS惯性传感器是公司历经十多年持续投入、目前已具有国内市场领先优势的重点产品方向之一。基于做“复杂技术”产品的经营理念以及MEMS传感器市场的巨量成长空间，公司将大幅度加大MEMS传感器的研发与生产资源的投入，主要聚焦在惯性和压力这两个主要的产品与工艺技术平台。持续提升产品的性能指标，满足汽车、机器人和工业用的MEMS传感器的技术需求。2025年将会有多款车用MEMS传感器产品推出，包括辅助驾驶系统的高精度惯性传感器、安全气囊的碰撞传感、发动机的震动监控传感器等产品。

（七）持续提升IGBT、FRD、硅基超级结MOSFET、硅基沟槽栅MOSFET、SiC-MOSFET芯片的性能，指标匹配国际大厂，满足新能源汽车、光伏、风电、储能、大型白电等应用市场的需求；加大市场的推广力度。

（八）关注先进的高功率密度的功率组件封装技术，投入研发资源。

（九）    在LED RGB彩屏芯片、植物照明芯片、高端汽车照明芯片和其他特色芯片上继续深耕与布局，积极拓展市场；持续推进士兰“美卡乐”高端LED成品品牌的建设，积极拓展海内外高端客户，扩充产能，拓展新的高端应用市场。推进Micro-LED与驱动技术的融合，推出创新的产品。