士兰微电子进入全球功率器件和功率模块市场份额前十

根据英飞凌公司最新披露的数据（英飞凌公司于2月4日公布了2025财年第一季度财报），2023年全球功率器件和功率模块市场规模约为357亿美元。士兰微电子位居全球第十位，市场占比2.6%。士兰微电子是国内本土唯一进入全球前十的企业。

根据英飞凌公司前些年披露的数据，2020-2022年士兰微电子MOSFET器件、IGBT器件、IPM智能功率模块市场占比均已进入全球前十位。

近些年，全球功率半导体市场的增长动能主要来自于下游电动汽车、新能源等行业的发展。此次士兰微电子进入全球功率器件和功率模块市场份额前十，表明公司在电动汽车、新能源等高门槛市场的拓展取得了明显进步。

2024年，公司通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，加快产品结构调整的步伐。在电源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM功率模块、碳化硅MOSFET器件、超结MOSFET器件、MEMS传感器、MCU电路、SOC电路、快恢复管、TVS管、稳压管等产品出货量增长的带动下，公司总体营收继续保持了较快的增长势头。

SiC芯片作为第三代半导体材料的代表，凭借其高耐压、高导热、高频性能等优势，正在快速渗透到电动汽车、新能源、算力基础设施及大型白电等领域。SiC芯片有望成为全球功率半导体市场增长的“推进剂”。

为抓住当前汽车、新能源、算力和通讯等领域快速发展的机遇，公司正在加快提升6英寸SiC芯片生产线的产出水平。目前，公司6英寸SiC芯片生产线已具备月产0.9万片SiC MOSFET芯片的生产能力。同时，公司正加快建设一条8英寸 SiC功率器件芯片制造生产线（项目一期投资规模70亿元，规划产能3.5万片/月），预计2025年年底实现初步通线。

公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面栅SiC MOSFET芯片的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已实现向下游汽车用户批量供货；基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已在客户端验证，预计2025年实现批量供货。

未来，公司将在国家政策的引领下，充分发挥自身在IDM模式下的长期积累以及在功率半导体器件和模块、模拟电路、MEMS传感器、光电产品等领域的综合竞争优势，进一步推进产品技术迭代和产能结构升级，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升。